1.1.1筒形鍛件----軸向長度L大于其外徑尺寸D的軸對稱空心鍛件如圖1(a)所示.t為公稱厚度.
1.1.2 環形鍛件----軸向長度L小于等于其外徑尺寸D的軸對稱空心件如圖1(a)所示.t為公稱厚度.
1.1.3 餅形鍛件----軸向長度L小于等于其外徑D的軸對稱形鍛件如圖1(b)所示.t為公稱厚度.
1.1.4 碗形鍛件----用作容器封頭,中心部份凹進去的軸對稱形鍛件如圖1(c)所示.t為公稱厚度.
1.1.5 方形鍛件----相交面互相垂直的六面體鍛件如圖1(d)所示.
三維尺寸a、b、c中上 稱厚度.
1.2 底波降低量GB/BF(dB)
無缺陷區的次底波高度(GB)和有缺陷區的次底波高度(BF)之比.由缺陷引起的底面反射的降低量用dB值表示.
1.3 密集區缺陷
當熒光屏掃描線上相當于50mm的聲程范圍內同時有5個或者5個以上的缺陷反射信號;或者在50mm×50mm的探測面上發現同一深度范圍內有5個或5個以上的缺陷反射信號.
1.4 缺陷當量直徑
用AVG方法求出的假定與超聲波束相垂直的平底孔的直徑,稱為缺陷當量直徑,或簡稱為當量直徑.
1.5 AVG曲線
以縱座標軸表示相對的反射回波高度,以橫座標軸表示聲程,對不同直徑且假定與超聲波束相垂直的圓平面缺陷所畫出的曲線圖叫AVG曲線,亦稱為DGS曲線.
２ 探傷人員
鍛件探傷應由具有一定基礎知識和鍛件探傷經驗,并經考核取得認可的資格證書者擔任.
３ 探傷器材
3.1 探傷儀
3.1.1 應采用A型脈沖反射式超聲波探傷儀,其頻響范圍至少應在1MHz～5Mhz內.
3.1.2 儀器應至少在滿刻度的75%范圍內呈線性顯示(誤差在5%以內),垂直線性誤差應不大于5%.
3.1.3 儀器和探頭的組合靈敏度:在達到所探工件大程處的探傷靈敏度時,有效靈敏度余量至少為10dB.
3.1.4 衰減器的精度和范圍,儀器的水平線性、動態范圍等均應隊伍ZBY230-84《A型脈沖反射式超聲波探傷儀通用技術條件》中的有關規定.
3.2 探頭
3.2.1 探頭的公稱頻率主要為2.5Mhz,頻率誤差為±10%.
3.2.2 主要采用晶片尺寸為Φ20mm的硬保護膜直探頭.
3.2.3 必要時也可采用2MHzs或25MHz,以及晶片尺寸不大于Φ28mm探頭.
3.2.4 探頭主聲束應**峰,無偏斜.
3.3 耦合劑
可采用機油、甘油等透聲性能好,且不損害工件的液體.
４ 探傷時機及準備工作
4.1 探傷時機
探傷原則上應安排在終熱處理后,在槽、孔、臺級等加工前,比較簡單的幾何形狀下進行.熱處理后鍛件形狀若不適于超聲波探傷也可在熱處理前進行.但在熱處理后,仍應對鍛件盡可能完全進行探傷.
4.2 準備工作
4.2.1 探傷面的光潔度不應低一地5,且表面平整均勻,并與反射面平等,圓柱形鍛件其端面應與軸線相垂直,以便于軸向探傷.方形鍛件的面應加工平整,相鄰的端面應垂直.
4.2.2 探傷表面應無劃傷以及油垢和油潛心物等附著物.
4.2.3 鍛件的幾何形狀及表面檢查均合格后,方可進行探傷.
4.3 重要區
鍛件的重要區應在設計圖樣中或按JB 755-85《壓力容器鍛件技術條件》予以注明.
５ 探傷方法
鍛件一般應進行縱波探傷,對簡形鍛件還應進行橫波探傷,但掃查部位和驗收標準應由供需雙方商定.
5.1 橫波探傷
橫波探傷應按附錄B的要求進行.
5.2 縱波探傷
5.2.1 掃查方法
5.2.1.1 鍛件原則上應從兩相互垂直的方向進行探傷,盡可能地探測到鍛件的全體積,主要探測方向如圖2所示,其他形狀的鍛件也可參照執行.
5.2.1.2 掃查范圍:應對鍛件整個表面進行連續**掃查.
5.2.1.3 掃查速度:探頭移動速度不超過150mm/s.
5.2.1.4 掃查復蓋應為探頭直徑的15%以上.
5.2.1.5 當鍛件探測厚度大于400mm時,應從相對兩端面探傷.
5.2.2 探傷靈敏度的校驗
5.2.2.1 原則上利用大平底采用計算法確定探傷靈敏度,對由于幾何形狀所限,以及缺陷在近場區內的工件,可采用試塊法(見附錄A).
5.2.2.2 用底波法校正靈敏度,校正點的位置應選以工件上無缺陷的完好區域.
5.2.2.3 曲面補償:對于探測面是曲面而又無法采用底波法的工件,應采用曲率與工件相同或相近(0.7-1.1倍)的參考試塊(見附錄A);或者采用小直徑晶片的探頭,使其近場區的長度小于等于1/4工件半徑,這樣可不需進行曲面補償.
5.2.2.4 探傷靈敏度不得低于Φ2mm當量直徑.
5.2.3 缺陷當量的確定
5.2.3.1 采用AVG曲線及計算法確定缺陷當量.
5.2.3.2 計算缺陷當量時,當材質衰減系數超過4dB/m時,應考慮修正.
5.2.3.3 材質衰減系數的測定
a. 應在被測工件無缺陷區域,選取三處有代表性的閏,求B1/B2的值,即次底波高度(B1)與**次底波高度(B2)之比的dB差值.
b. 衰減系數a(dB/m)的計算為
 
式中 T----聲程,m.
5.2.3.4 AVG曲線圖見附錄C.
5.3 靈敏度的重新校驗
5.3.1 除每次探傷前應校準靈敏度外,遇有下述情況時,必須對探傷靈敏度進行重新校準.
a. 校正后的探頭、耦合劑和儀器調節旋鈕等發生任何改變時;
b. 開路電壓波動或操作者懷疑靈敏度有變動時;
c. 連續工作4以上;
d. 工作結束時.
5.3.2 當增益電平降低2dB以上時,應對上一次校準以來所有檢查鍛件進行復探;當增益電平升高2dB以上時,應對所有的記錄信號進行重新評定.
６ 記錄
6.1 記錄當量直徑超過Φ4mm的單個缺陷的波幅的位置.
6.2 密集性缺陷:記錄密集性缺陷中大當量缺陷的位置和分布.
6.2.1 餅形鍛件應記錄大于等于Φ4mm當量直徑的缺陷密集區.
6.2.2 其他鍛件應記錄大于等于Φ3mm當密集區.
6.2.3 缺陷密集區面積以50mm×50mm的方塊作為小量度單位,其邊界可由半波高并法決定.
6.3 應按表2要求記底波降低量
6.4 衰減系數,若供需雙方有規定時,應記錄衰減系數.
７ 等級分類
7.1 單個缺陷反射的等級見表1.

表1 單個缺陷反射的等級

等 級  Ⅰ  Ⅱ  Ⅲ  Ⅳ  Ⅴ
缺陷當量
直 徑 ≤Φ4 ＞Φ4+(＞5～8dB) Φ4+(＞8～12dB) Φ4+(＞12～16dB) ＞Φ4+16dB)
7.2 底波降低量的等級見表2.

表2 由缺陷引起底波防低量的等級

等 級  　 Ⅰ  Ⅱ  Ⅲ  Ⅳ  Ⅴ
底波降低量 BG/BF ≤8 ＞8～14 ＞14～20 ＞20～26 ＞26
　
注: ①在計算缺陷引起的底面反射降低量時,應扣除4dB/m的材質衰減.
②表2僅適用于聲程大于一倍近場區的缺陷.
7.3 密集區缺陷等級見表3.

表3 密集區缺陷引起的等級

等 級  Ⅰ  Ⅱ  Ⅲ  Ⅳ  Ⅴ
密集區缺陷占探傷總面積百分比H 0 ＞0～5% ＞5～10% ＞10～20% ＞20%
注:表1至表3的等級應作為獨立的等級分別使用.
7.4 如果工件的材質衰減對探傷效果有較大的影響時,應重新進行熱處理.
7.5 按7.1、7.2、7.3節認定級別的缺陷,如果被探傷人員判定為危害性缺陷時,可以不受上述條文的限制.
８ 探傷報告
探傷報告不應少于以下內容.
8.1 工件情況
工件名稱、材料牌號、編號、材質衰減、主要部位尺寸草圖、探傷面的光潔度.
8.2 探傷條件
探傷儀型號、探頭頻率、晶片尺寸(k值)、探測方向、探傷靈敏度、參考反射體、耦合劑等.
8.3 探傷結果
8.3.1 缺陷位置、缺陷當量直徑、底波降低區及缺陷分布示意圖.
8.3.2 缺陷等級及其他.
8.4 探傷人員的資格證號、等級、姓名、報告簽發人的資格證號、等級、姓名、日期.
附錄A
試塊要求
(補充件)
A.1 遠場區使用,探測表面為平面時,應采用CS2型標準試塊.
A.2 近場區使用,探測表面為平面時,應采用CS1型標準試塊.
A.3 探傷面是曲面時,原則上應采用與工件具有大致相當曲率半徑的對比試塊,其具體形狀如圖A1.
附錄B
橫波探傷
(補充件)
B.1 橫波探傷僅適用于內外徑之比大于等于75%的環形和筒形鍛件.
B.2 探頭
B.2.1 探頭公稱頻率主要為2.5MHz,也可用2MHz.
B.2.2 探頭晶片面積為140-400mm2.
B.2.3 原則上應采用K1探頭,但根據工件幾何形狀的不同,也可采用其他的K值探頭.
B.3 參考反射體
B.3.1
為了調整探傷靈敏度,利用被探工件壁厚或長度上的加工余部份制作對比試塊,在鍛件的內外表面,分別沿軸向和周向加工平行的V形槽作為標準溝槽.V形槽長度為25mm,深度為鍛件壁厚的1%,角度為60°.也可用其他等效的反射體(如邊角反射等).
B.4 探傷方法
B.4.1 掃查方法
B.4.1.1 掃查方向見圖B1.
B.4.1.2 探頭移動速度不應超過150mm/s.
B.4.1.3 掃查復蓋應為探頭寬度的15%以上.
B.4.2 靈敏度檢驗
從鍛件外圓面將探頭對準內圓面的標準溝槽,調整增益,使大反射高度為滿幅的80%,將該值在面板上作一點,以其為探傷靈敏度;再移動探頭探外圓面的標準溝槽,并將大反射高度亦在面板上作一點,將以上二點用直線連接并延長,使之包括全部探傷范圍,繪出距離---振幅曲線.內圓面探傷時以同一順序進行,但探頭斜楔應與內圓面曲率一致.
B.5 記錄
記錄超---振幅曲線一半的缺陷反射和缺陷檢出位置.
附錄C
AVG 曲線圖
(參考件)
C.1 AVG曲線參考圖例如下:
C.2 AVG曲線圖必須在CS1和CS2型標準試塊上測定后繪制.